当芯片制程步入2纳米节点后，传统工艺的微缩之路似乎已触碰到物理天花板。然而，IBM于2026年6月25日宣布的一项“重磅突破”，声称其推出的全球首个亚1纳米（0.7纳米）芯片，这是人类历史上首次将接近1000亿个晶体管集成于指甲盖大小的芯片中。这一消息随后也网络上引发了热议。不少批评者指出，这并非真正的物理尺寸突破，而是一场精心包装的“数字游戏”。
IBM 0.7nm物理尺寸未达标
根据IBM公布的信息，其最新发布的全球首款0.7nm芯片采用了革命性的晶体管架构——“Nanostack（纳米堆叠）”技术，其核心思路并非继续压缩晶体管平面尺寸，而是以纳米片（nanosheet）为构建模块，将两个两层互补晶体管（一个NFET和一个PFET，这两个晶体管是在不同的晶圆上分别制造）通过超薄介质层实现单片级（monolithic）垂直集成，形成单片三维CMOS（Monolithic 3D CMOS）架构，而不是通过3D封装。
相比GAA（Gate-All-Around）架构，这种设计能够进一步缩短信号路径，提高逻辑密度，并为未来继续提升CMOS性能提供新的技术路线。IBM表示，NanoStack未来结合High-NA EUV光刻、新材料以及先进互连技术，有望继续延续摩尔定律的发展。
IBM声称其0.7nm技术能在指甲盖大小的面积上集成近1000亿个晶体管，密度近乎其2021年2纳米芯片的两倍，可带来50%的性能提升和70%的能效改善。尤为值得注意的是，NanoStack架构有望将SRAM缓存面积缩减40%，这被IBM称为“十多年来行业最大的SRAM缩放进步”。IBM研究院院长Jay Gambetta表示，这一突破将芯片技术“从纳米时代推向了原子尺度”。IBM预计，这项技术最快五年内可实现产业化。
然而，IBM的这一突破性的技术公布之后，也引发了业内的争议。在科技新闻聚合平台Hacker News上，高赞评论直言不讳地指出：“0.7nm只是营销名称”。还有评论批评道：“这根本不是0.7nm的晶体管。
多位具有半导体背景的工程师认为，IBM此次真正的技术突破是其“NanoStack”三维堆叠架构，而非任何0.7nm尺寸的晶体管。他们指出，NanoStack的实际构建模块——纳米片的厚度约为5纳米（约15个硅原子宽），而两层之间的间距为9纳米，这些都与0.7nm相去甚远。
IBM此次展示的显微照片同样能够说明这一点。图片中大量关键结构的尺寸依然处于数纳米甚至数十纳米量级，并不存在真正宽度仅0.7纳米的晶体管结构。
还有工程师指出，IBM公布图片中一条被部分网友误认为"0.7nm线宽"的白色结构，实际上只是位于约5纳米宽（约15列硅原子）结构边缘的一条示意轮廓，并不能代表真实的最小物理尺寸。
虽然对于业内工程师而言，“工艺节点名称早就和真实特征尺寸没有关系”，这早已是公开的共识。但对于普通公众而言，“全球首个0.7nm芯片”这样的表述，仍然很容易被理解为“晶体管尺寸只有0.7纳米”，由此引发误解也就不足为奇。
马斯克开炮：呼吁以“原子数量”命名
事实上，这场争议的根源，并不在IBM本身。
90nm、65nm时代，半导体工艺节点名称还能大致对应晶体管栅长等关键尺寸。但是自22nm FinFET时代开始，“工艺节点”与真实尺寸逐渐脱钩已成为整个行业公开的事实。现在无论是台积电或者三星的3nm、2nm还是英特尔的1.8nm，其数字更多代表的是工艺代际、综合性能以及逻辑密度，而不是晶体管栅长、金属间距或其它任何一个固定物理尺寸。
IBM官方其实也不存在误导，因为他们在官方博客说明中也明确指出，“与所有近期晶体管尺寸的进步一样，7埃米（0.7nm）指的是这一代芯片，采用其特定的制造工艺。这里，7埃并不等于芯片中接触金属线的宽度，这与多代前芯片密度较低的传统方式不同。”IBM副总裁Bu Huiming也承认，如今产业早已不再以物理线宽命名制程节点。
马斯克在社交平台X上转发了一则指出“IBM所谓0.7nm芯片上制造出的特征无一低于1nm”的评论时表示赞同，并提出了一个解决方案：应改用“最小特征宽度所含的原子数量”来定义制程节点，而非使用早已脱离物理现实的“纳米”数字。他认为，这样才能最准确地反映技术的真实水平，避免营销导向的“数字游戏”。
马斯克的观点实际上回应了整个行业长期存在的一项争议：如今“3nm”、“2nm”、“0.7nm”等工艺节点名称，与真实物理尺寸之间已经越来越脱节。这也是为什么IBM此次发布消息后，业内大量讨论并没有聚焦NanoStack本身，而是围绕“0.7nm到底代表什么”而展开。
也有不少工程师建议，整个行业未来应该放弃继续使用"纳米"作为工艺节点名称，而改用晶体管密度（MTr/mm²）、PPA（性能、功耗、面积）等更客观的指标衡量先进工艺水平。
总结来说，此次IBM “0.7nm芯片”所引发的争议并不是其本身，而是整个行业已经沿用了二十多年的"纳米工艺节点"命名体系。
不应因命名争议被否定
客观来看，无论是NanoStack三维架构，还是IBM公布的SRAM缩放、逻辑密度以及能效数据，都说明IBM依然保持着全球顶尖半导体研究机构的创新能力。这一点，并没有因为围绕“0.7nm”命名的争议而发生改变。
但是，多层垂直堆叠对制造精度要求极高，任何一层出现缺陷都可能导致整颗芯片报废，良率控制和热预算管理是巨大挑战。而且IBM早已出售其芯片制造业务，现主要作为研究机构和知识产权（IP）授权方存在。这意味着，这项技术能否商用，完全取决于台积电、三星、英特尔或Rapidus等晶圆制造商是否愿意购买授权并攻克量产难题。
IBM自己给出的商业化时间表是5年内甚至更久，至今也未公布任何确定的制造合作伙伴。相比之下，英特尔已强调其1.8nm工艺已进入风险生产阶段。
编辑：芯智讯-浪客剑
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